domingo, 15 de noviembre de 2009

MEMORIAS RAM

los primeros modulos utilizados fueron los denominados SIMM (single in-line memory module) estos modulos tenian los contantos de una sola de sus caras y podian ser de 30 contactos (los primeros), que posteriormente pasaron a ser de 72 contactos este tipo de modulo de memoria fue sustituido por los modulos del tipo DIMM (dual in-line memory module), que es el tipo de memoria que se sigue utilizando en la actualidad.

DRAM: las memorias dram (dynamic ram) fueron las utizadas en los primeros modulos (tanto en SIMM como en los primeros DIMM) es un tipo de memoria mas barata que la sdram, pero tambien bastante mas lenta, por lo que con el paso del tiempo ha dejado de utilizarse.

SDRAM: las memorias sdram (synchronous dynamic RAM) son las utilizadas actualmente (aunque por sdram se suele identificar a u tipo concreto de modulos, en realidad todos los modulos actualmente son SDRAM) son un tipo de memorias sincronas, es decir, que van a la misma velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso en los que en los tipos mas recientes son inferiores a 10ns, llegando a los 5ns en los mas rapidos

SDR:

los modulos SDR (single data rate) son los conocidos normalmente como sdram, aunque, como ya hemos dicho todas las memorias actuales son SDRAM, se trata de modulos de tipo DIMM, de 168 contactos y con una velocidad de bus de memoria que va desde los 66 MHz a los 133MHz .








DDR:



son una evolucion de los modulos sdr. se trata de modulos de tipo dimm, de 184 contactos y g4 bist, con una velocidad de bus de memoria de entre 100 MHz y 200MHz pero al realizar dos accesos por ciclo de reloj las velocidades efectivas de trabajo se situan entre los 200 MHz y los 400MHz.







DDR2:
son una evolucion de los modulos DDR SDRAM. se trata de modulos de tipo DIMM, en este caso de 240 contactos y 64 bits. tienen unas velocidades de bus de memoria real entre 100 MHz y 266MHz, aunque los primeros no se comercializan. la principal caracteristica de estos modulos es que son capaces de realizar cuatro accesos por ciclo de rejoj ( dos de ida y dos de vuelta), lo que hace que su velocidad de bus de memoria efectiva sea el resultado de multipicar su velocidad de bus de memoria real por 4.